| 发明名称 | 异质结太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种异质结太阳能电池，包含具有受光面的p型结晶硅基板、形成在该p型结晶硅基板的受光面上的第一i型非晶硅薄膜层、形成在该第一i型非晶硅薄膜层上的n型非晶氧化层、以及形成于该n型非晶氧化层上的第一透明导电层。再者，本发明的异质结太阳能电池可选择性地不形成第一i型非晶硅薄膜层，而直接形成n型非晶氧化层，且所形成的n型非晶氧化层也可为依序形成的n-以及n+非晶氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN104638048A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201310654869.3 | 申请日期 | 2013.12.06 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈玉鸿;刘俊岑;刘永宗;林宸澄 |
| 分类号 | H01L31/077(2012.01)I;H01L31/0376(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/077(2012.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种异质结太阳能电池，包含：p型结晶硅基板，具有受光面；第一i型非晶硅薄膜层，形成在该p型结晶硅基板的受光面上；n型非晶氧化层，形成在该第一i型非晶硅薄膜层上；以及第一透明导电层，形成于该n型非晶氧化层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||