垂直型LED芯片结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种垂直型LED芯片结构及其制作方法，所述垂直型LED芯片结构由下至上依次包括：导电衬底、金属键合层、反射层、电流阻挡层、P-GaN层、多量子阱层、N-GaN层及N电极。通过在所述P-GaN层表面上制备具有与所述N电极不同形状的电流阻挡层，可以将N电极到所述P-GaN层区域的纵向扩展电流扩散开，有效地阻挡N电极下方的电流拥挤效应，使得垂直型LED电流扩散更加均匀，从而提高LED芯片的光电性能。

主权项

一种垂直型LED芯片结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：提供生长衬底，在所述生长衬底上形成外延层，所述外延层包括由下至上依次形成的未掺杂GaN层、N‑GaN层、多量子阱层及P‑GaN层；在所述P‑GaN层上形成接触层，并对所述接触层进行光刻、刻蚀形成电流阻挡层；在所述外延层及所述电流阻挡层上形成反射层；在所述外延层及所述反射层上形成金属键合层；将形成所述金属键合层的衬底与导电衬底键合，并去除所述生长衬底；刻蚀所述未掺杂GaN层至暴露出所述N‑GaN层；在所述N‑GaN层上形成N电极。