一种小型化高压二极管的制备方法

摘要

本发明涉及小型化高压二极管的制备方法。其步骤：按顺序将9片硅片垂直叠放好后烧磷源：炉温200±5℃，恒温50min；充入氧气和氮气；烧硼源：炉温500±5℃，升温速率2℃/min，恒温120±1min；将扩散舟放入扩散炉，当炉温为650±5℃时，上调炉温，升至1200±1℃后，恒温190min；继续升温至1269℃时关闭氧气，调节氮气流量,炉温为1270±1℃，恒温18±2h；降温至800℃，恒温205min,冷却后出炉。采取本方法，产品具有体积小、电气特性稳定、可靠性高等特点，实现了管芯长度为2.96±0.15mm，管体尺寸为Φ2mm*5mm的小型化，满足了对小型化高压二极管的市场需求。

主权项

一种小型化高压二极管的制备方法，其特征在于，采用厚度为280微米的原始硅片，单块合金块的原始硅片数量为9片，采用纸源扩散工艺，其制备工艺步骤如下：（1）.叠片用聚四氟镊子夹取硅片、纸源，按挡块→模拟片→磷纸源→硅片→硼纸源→硅片→磷纸源→硅片→硼纸源···硅片→磷纸源→模拟片→挡块的顺序将9片硅片垂直叠放好；（2）.烧源将叠源后的硅片进行烧源，使用设备为石英管扩散炉；a.烧磷源：石英管扩散炉炉温200±5℃，恒温50min；气体流量：氧气2.5±0.1L/min； 氮气2.5±0.1L/min；b.烧硼源：石英管扩散炉炉温500±5℃，升温速率2℃/min，恒温120±1min；（3）.扩散将扩散舟放入碳化硅管扩散炉，当炉温为650±5℃时，上调炉温，升温速率为2℃/min，升至1200±1℃后，恒温190min；然后继续升温，升温速率为2℃/min，直至升温为1269℃时关闭氧气，调节氮气流量为5.0±0.1L/min,炉温为1270±1℃，恒温18±2h；（4）.出炉降温速率2℃/min至800℃，恒温205min,关闭加热开关，冷却后出炉。