发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置利用烧结性接合材料,使半导体元件和基板之间的接合部的高温耐久性、品质以及可靠性提高。本发明的半导体装置制造方法的特征在于,具备以下工序:(a)准备绝缘性或导电性基板;(b)在基板(即,绝缘基板)主面的接合区域(3a)配置烧结性接合材料;(c)一边使半导体元件的用于接合的面即接合面与接合材料加压接触,一边对接合材料进行烧结,从而经由接合材料将基板(即,绝缘基板)和半导体元件接合,工序(b)中的接合区域在俯视观察时位于半导体元件的接合面(即,区域(3b))内侧,并且,在工序(c)后,接合材料在俯视观察时也没有向半导体元件的接合面外侧溢出。 |
申请公布号 |
CN104637832A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201410645110.3 |
申请日期 |
2014.11.12 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
日野泰成 |
分类号 |
H01L21/603(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/603(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
何立波;张天舒 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备以下工序:(a)准备绝缘性或者导电性的基板;(b)在所述基板的主面的接合区域中配置烧结性的接合材料;以及(c)通过一边使半导体元件的用于接合的面即接合面与所述接合材料加压接触,一边对所述接合材料进行烧结,从而经由所述接合材料将所述基板和所述半导体元件接合,所述工序(b)中的所述接合区域,在俯视观察时处于所述半导体元件的接合面内侧,在所述工序(c)之后,所述接合材料在俯视观察时也没有向所述半导体元件的接合面外侧溢出。 |
地址 |
日本东京 |