| 发明名称 | 一种具有栅偏压补偿的MOS晶体管电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有栅偏压补偿的MOS晶体管电路，其特征在于，至少包括：一电阻器元件；MOS半导体组件，包括第一MOS半导体元件和第二MOS半导体元件；其中，所述电阻器元件与所述第一MOS半导体元件串联连接，所述第二MOS半导体元件通过栅极与所述电阻器元件和所述第一MOS半导体元件连接。本发明根据在不同PVT工艺角下多晶硅电阻受影响较小，而MOS晶体管电阻受影响较大的特性，实现在不同PVT工艺角下的栅偏压补偿，使得输出电流基本不受PVT变化的影响，避免了电路合格率的降低。 | ||
| 申请公布号 | CN104639153A | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201310553599.7 | 申请日期 | 2013.11.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 朱恺;陈捷;莫善岳;郭之光;陈艳 |
| 分类号 | H03K19/094(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/094(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种具有栅偏压补偿的MOS晶体管电路，其特征在于，至少包括：电阻器元件；MOS半导体组件，包括第一MOS半导体元件和第二MOS半导体元件；其中，所述电阻器元件与所述第一MOS半导体元件串联连接，所述第二MOS半导体元件通过栅极与所述电阻器元件和所述第一MOS半导体元件连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||