发明名称 研磨垫及研磨方法
摘要 本发明涉及一种研磨垫及研磨方法,适于用以研磨一基底。此研磨垫包括研磨层以及至少两个沟槽。这些沟槽会形成对应的研磨轨迹,这些研磨轨迹共同构成均匀轨迹区,此均匀轨迹区使基底表面获得较佳的研磨均匀度。
申请公布号 CN101422882B 申请公布日期 2015.05.20
申请号 CN200710185026.8 申请日期 2007.10.31
申请人 智胜科技股份有限公司 发明人 王裕标
分类号 B24B37/26(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I 主分类号 B24B37/26(2012.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 施浩
主权项 一种研磨垫,适于用以研磨一基底,其特征在于该研磨垫包括:一研磨层,具有一均匀轨迹区,该均匀轨迹区环绕一旋转轴线而配置;以及至少二沟槽,配置于该均匀轨迹区内,该均匀轨迹区实质上配置在位于该研磨垫的最内部与最外部之间的中间区域,该均匀轨迹区对应至该基底的中心部分而配置,且满足下式:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><msub><mi>D</mi><mrow><mrow><mo>(</mo><mi>i</mi><mo>)</mo></mrow><mi>max</mi></mrow></msub><mo>&cong;</mo><msub><mi>D</mi><mrow><mrow><mo>(</mo><mi>i</mi><mo>+</mo><mi>n</mi><mo>)</mo></mrow><mi>min</mi></mrow></msub></mrow>]]></math><img file="FDA00003108812800011.GIF" wi="445" he="57" /></maths>其中,D<sub>(i)max</sub>表示自该旋转轴线至第i个沟槽的最长距离;D<sub>(i+n)min</sub>表示自该旋转轴线至第(i+n)个沟槽的最短距离;以及i为从最靠近该旋转轴线的该沟槽向该均匀轨迹区外围算起的该沟槽的序数,且n为整数。
地址 中国台湾台中市工业区16路7号