平板显示装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种可以使用掩模利用较少的图案化操作制造的平板显示装置及其制造方法，该平板显示装置包括：基底；薄膜晶体管(TFT)的有源层；电容器的第一底电极和第一顶电极；形成在基底上第一绝缘层；与沟道区对应的栅极底电极和栅极顶电极；电容器的第二底电极和第二顶电极；像素底电极和像素顶电极；形成在栅极顶电极、电容器的第二顶电极和像素顶电极上的第二绝缘层；形成在第二绝缘层上的源电极和漏电极。

主权项

一种制造平板显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上顺序地形成半导体层和第一导电层；在第一掩蔽操作中，同时图案化所述半导体层和所述第一导电层，以形成薄膜晶体管的有源层以及电容器的第一底电极和第一顶电极，其中，所述第一掩蔽操作的第一掩模为半色调掩模，所述半色调掩模包括在与所述薄膜晶体管的所述有源层对应的部分中的半光透射区域；在通过所述第一掩蔽操作形成的结构上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上顺序地形成第二导电层和第三导电层；在第二掩蔽操作中，同时图案化所述第二导电层和所述第三导电层中的每个导电层，以形成所述薄膜晶体管的栅极底电极和栅极顶电极，形成所述电容器的第二底电极和第二顶电极并形成像素底电极和像素顶电极；通过使用所述栅极底电极和所述栅极顶电极作为掩模来在所述薄膜晶体管的有源层的边缘中形成源区和漏区；在通过所述第二掩蔽操作形成的结构上形成第二绝缘层；在第三掩蔽操作中，图案化所述第二绝缘层，以部分地暴露所述源区和所述漏区以及所述像素顶电极的边缘；在通过所述第三掩蔽操作形成的结构上形成第四导电层；在第四掩蔽操作中，图案化所述第四导电层，以形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极，其中，所述第四掩蔽操作包括图案化所述第四导电层以同时形成所述电容器的第三电极、所述源电极和所述漏电极的操作；在通过所述第四掩蔽操作形成的结构上形成第三绝缘层；在第五掩蔽操作中，去除所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，使所述像素顶电极被暴露。