强磁场下电子束注入约束装置

摘要

本发明公开了一种强磁场下电子束注入约束的装置。该装置在磁场中外加一个电场，该电场在沿磁场方向上形成电势阱位形，在垂直于磁场方向形成漂移电场，在所述电势阱中，电子束受到电场力分量的作用沿磁力线方向做往复运动，并在垂直磁力线方向上以电场漂移速度横越磁力线。该装置具体包括负极板，正极板，阴极，以及第一、第二阱极板。本发明方法通过电势阱的约束，使电子束在平行磁场的方向被有效地约束住，以电场漂移速度横越磁场。本发明装置当阴极产生电子束后，电子束在平行于磁场的方向被很好的约束，并横越磁力线，而不会沿着磁力线漂走，同时也不会影响原来的磁场位形，并且注入的效率非常高，工艺的实现也简单易行。

主权项

一种强磁场下电子束注入约束装置，其特征在于：该装置包括负极板，正极板，阴极，以及第一、第二阱极板；负极板与正极板相对并与磁场方向平行放置，用于在加正负电压后形成漂移电场区；第一、第二阱极板板板沿磁场方向相对放置，用于在加相同的负偏压后形成电势阱区；阴极的发射面处于电势阱中，阴极的发射面法向与负极板法向的夹角为50°～70°；当阴极产生电子束后，电子束在平行于磁场的方向被约束，并横越磁力线，而不会沿着磁力线漂走，同时也不影响原来的磁场位形，并且提高注入的效率；第一阱极板、负极板和第二阱极板依次连成一体构成负极板组件，负极板组件形成弧形或者弯曲形状，阴极斜插在负极板中，且阴极伸入负极板组件的长度小于等于电势阱的深度即负极板弯曲的弧深度，阴极面不能处于比负极板更低的电位下。