一种防止深沟绝缘工艺中产生空洞的方法

摘要

本发明提供一种防止深沟绝缘工艺中产生空洞的方法，在半导体基底上形成有源区保护层；刻蚀所述有源区保护层和半导体基底以形成深沟槽；刻蚀所述有源区保护层以及半导体基底，以形成与所述深沟槽相连通的浅沟槽；对所述深沟槽的边缘以及所述浅沟槽的边缘采取高温氧化工艺；进行湿法刻蚀，去除因所述高温氧化工艺所形成的氧化硅，在所述深沟槽以及所述浅沟槽内淀积绝缘介质；进行化学机械研磨，使所述浅沟槽表面平坦化。本发明提供的方法使得沟槽边角圆滑，避免了沟槽中产生大量的空洞，从而保证了沟槽的绝缘性能。

主权项

一种防止深沟绝缘工艺中产生空洞的方法，所述方法包括以下步骤：步骤1：在半导体基底上形成有源区保护层；步骤2：刻蚀所述有源区保护层和半导体基底以形成深沟槽；步骤3：刻蚀所述有源区保护层以及半导体基底，以形成与所述深沟槽相连通的浅沟槽；步骤4：在所述深沟槽以及所述浅沟槽内淀积绝缘介质；步骤5：进行化学机械研磨，使所述浅沟槽表面平坦化；其特征在于所述方法在步骤3和步骤4之间，还包括以下步骤：对所述深沟槽的边缘以及所述浅沟槽的边缘采取高温氧化工艺；进行湿法刻蚀，去除因所述高温氧化工艺所形成的氧化硅；其中，所述高温氧化工艺的温度为1100摄氏度；所述深沟槽的深度范围为1微米至10000微米；所述浅沟槽的深度范围为1纳米至1微米。