一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构的两侧形成有源/漏区；在所述半导体衬底上形成介电层，且在所述介电层中形成铜金属互连线；在所述介电层以及铜金属互连线上形成铜扩散阻挡层，形成所述铜扩散阻挡层的前体材料包括乙炔、三甲基硅烷和氨气，所述乙炔可以将氢固定于所述铜扩散阻挡层中。根据本发明，可以有效避免氢通过铜金属扩散进入栅氧化层，诱导栅氧化层产生漏电，提高栅氧化层的可靠性。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构的两侧形成有源/漏区；在所述半导体衬底上形成介电层，且在所述介电层中形成铜金属互连线；在所述介电层以及铜金属互连线上形成铜扩散阻挡层，形成所述铜扩散阻挡层的前体材料包括乙炔，所述乙炔可以将所述前体材料中包含的氢固定于所述铜扩散阻挡层中。