| 发明名称 | N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)制绒；(2)在硅片的正面和背面均设置氧化膜；(3)印刷腐蚀浆料，腐蚀去除位于硅片背面的非通孔方块区域的氧化膜；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；(4)扩磷；(5)开孔；(6)刻蚀、清洗；(7)扩硼；(8)刻蚀；(9)设置钝化减反射膜；(10)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。本发明解决了背面通孔方块区域不能掺磷的问题，在太阳能电池背面与导电孔，以及背面方块区电极之间不会形成接触漏电。 | ||
| 申请公布号 | CN102694069B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201210166816.2 | 申请日期 | 2012.05.27 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 | 发明人 | 王登志;殷涵玉;王栩生;章灵军 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋;陆金星 |
| 主权项 | 一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在N型硅片的正面和背面进行制绒；(2) 在上述硅片的正面和背面均设置氧化膜；(3) 在硅片的背面印刷腐蚀浆料，腐蚀去除位于硅片背面的非通孔方块区域的氧化膜；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；(4) 在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；(5) 在硅片上开孔；(6) 刻蚀周边结、去除硅片正面和背面的氧化膜、清洗；(7) 在硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；(8) 刻蚀周边结；去除硅片表面的杂质玻璃；(9) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；(10) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||