发明名称 |
碳纳米管结构的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种碳纳米管结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一生长面;在所述生长面设置一碳纳米管层,该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管,且所述生长面通过该碳纳米管层部分暴露;沉积催化剂,从而在所述碳纳米管层的表面形成一第一催化剂,在所述生长面形成一第二催化剂;以及生长碳纳米管,在所述基底的生长面生长多个第二碳纳米管从而形成一碳纳米管阵列,且在所述碳纳米管层的表面生长多个第三碳纳米管而形成一碳纳米管丛。本发明提供的碳纳米管结构的制备方法简单易行,适合在工业上批量生长。 |
申请公布号 |
CN103382037B |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201210135963.3 |
申请日期 |
2012.05.04 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
柳鹏;姜开利;范守善 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种碳纳米管结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一生长面;在所述生长面设置一碳纳米管层,该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管,且所述生长面通过该碳纳米管层部分暴露;沉积催化剂,从而在所述碳纳米管层的表面形成一第一催化剂,在所述生长面形成一第二催化剂;以及生长碳纳米管,在所述基底的生长面生长多个第二碳纳米管从而形成一碳纳米管阵列,且在所述碳纳米管层的表面生长多个第三碳纳米管而形成一碳纳米管丛;其中,所述多个第二碳纳米管沿着垂直于生长面的方向生长形成该碳纳米管阵列,该多个第二碳纳米管将所述碳纳米管层沿着远离生长面的方向顶离,从而使该碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一表面,且所述多个第三碳纳米管同时缠绕在所述多个第一碳纳米管表面以及多个第二碳纳米管靠近所述碳纳米管层的一端的表面。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |