| 发明名称 | 基于纳米线的透明导体及对其进行构图的方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种对基于纳米线的透明导体进行构图的方法。具体地，该方法涉及产生低可见性图案或不可见图案的部分蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN102834936B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201180011069.9 | 申请日期 | 2011.02.23 |
| 申请人 | 凯博瑞奥斯技术公司 | 发明人 | 代海霞;那朔;迈克尔·A·斯贝德;杰弗瑞·沃克 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;B82Y40/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;B82Y10/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;姚志远 |
| 主权项 | 一种光学一致的透明导体，包括：衬底；传导膜，在所述衬底上，所述传导膜包括多个互连的纳米结构，其中所述传导膜上的图案限定(1)未蚀刻区域，具有第一电阻率、第一透射率以及第一霾以及(2)被蚀刻区域，具有第二电阻率、第二透射率以及第二霾；以及其中，所述被蚀刻区域的传导性小于所述未蚀刻区域，所述第一电阻率与所述第二电阻率之比至少为1000；所述第一透射率与所述第二透射率之差小于5％；并且所述第一霾与所述第二霾之差小于0.5％。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||