| 摘要 |
<p>반복되는 블랭킷 증착 및 선택적인 식각의 주기적인 공정에 의하여 반도체 윈도우들 내에 에피택셜 층들(125)이 선택적으로 형성된다. 상기 블랭킷 증착 단계들은 필드 산화물과 같은 절연성 영역들(112) 상에 비에피택셜 재료(120)를 잔존시키고, 상기 선택적인 식각 단계들은 증착된 에피택셜 재료(125)를 주기마다 상향으로 성장시키면서, 비에피택셜 재료(120)를 우선적으로 제거한다. 에피택셜 재료(125)의 품질은 절연체들(112) 상에 어떠한 증착도 일어나지 않는 선택적인 공정들에 비하여 개선된다. 상기 공정의 식각 단계들 동안에 게르마늄 촉매들을 이용하는 것은, 식각 속도를 높이는데 유익하며, 상기 주기들 동안에 등온 및/또는 등압 조건들을 효율적으로 유지시키는 것을 용이하게 한다. 처리량 및 품질은 트리실란의 이용, 상기 절연성 영역들 상에 비정질 재료(120)의 형성, 및 각 증착 단계 내에서 비정질: 에피택셜 재료의 두께 비율의 최소화에 의하여 개선된다.</p> |
