发明名称 |
一种硅异质结太阳能电池结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种硅异质结太阳能电池结构及其制造方法。该结构包括n型晶体硅,其正面和背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理;p型氢化非晶硅层;n型氢化非晶硅层;第一TCO层,位于p型氢化非晶硅层的上方;第二TCO层,位于n型氢化非晶硅层的下方;非晶TCO层,形成于第二TCO层的一表面;银胶层,呈栅格状;以及缓冲薄膜层,溅镀形成于非晶TCO层的一表面。相比于现有技术,本发明在背面电极一侧于第二TCO层与缓冲薄膜层之间额外设置一非晶TCO层,利用该非晶TCO层与溅镀的Ag薄膜形成氧化银,从而使后溅镀上的Ag能够与非晶TCO层产生化学反应而生成氧-银键,进而提高模组串焊时的焊带拉力。 |
申请公布号 |
CN104638039A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201510057905.7 |
申请日期 |
2015.02.04 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
张傑 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/072(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
一种硅异质结太阳能电池结构,其特征在于,所述硅异质结太阳能电池结构包括:一n型晶体硅,具有一正面和一背面,所述正面和所述背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理;一p型氢化非晶硅层,位于所述n型晶体硅的正面之上,且与所述n型晶体硅进行异质结;一n型氢化非晶硅层,位于所述n型晶体硅的背面之下,且与所述n型晶体硅进行异质结;一第一透明导电氧化层,位于所述p型氢化非晶硅层的上方;一第二透明导电氧化层,位于所述n型氢化非晶硅层的下方;一非晶透明导电氧化层,形成于所述第二透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面;一银胶层,呈栅格状,形成于所述第一透明导电氧化层的上方;以及一缓冲薄膜层,溅镀形成于所述非晶透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 |