发明名称 |
一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料,包括有依次层叠设置的衬底和红外吸收层;所述衬底是p型单晶硅,所述红外吸收层是镍掺杂的n型硅中间带(Si:Ni)材料,其中镍的掺杂浓度是6×10<sup>19</sup>cm<sup>-3</sup>~6×10<sup>20</sup>cm<sup>-3</sup>,所述红外吸收层与衬底之间形成p-n结。本发明的镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料具有较强的红外吸收能力,在室温状态下具有较高的光电探测率,可广泛应用于光纤通讯、探伤、诊断、跟踪、导航等医疗、空间、军事、民用等领域的红外探测器的制作。本发明还提供了上述材料的制备方法。 |
申请公布号 |
CN104638037A |
申请公布日期 |
2015.05.20 |
申请号 |
CN201510080450.0 |
申请日期 |
2015.02.14 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
陈朝;陈蓉;范宝殿;郑将辉;蔡丽晗 |
分类号 |
H01L31/0288(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0288(2006.01)I |
代理机构 |
厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 |
代理人 |
张松亭 |
主权项 |
一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料,其特征在于包括有依次层叠设置的衬底和红外吸收层;所述衬底是p型单晶硅(Si),所述红外吸收层是镍(Ni)掺杂的n型硅中间带(Si:Ni)材料,其中镍的掺杂浓度是6×10<sup>19</sup>cm<sup>‑3</sup>~6×10<sup>20</sup>cm<sup>‑3</sup>,所述红外吸收层与衬底之间形成p‑n结。 |
地址 |
361000 福建省厦门市思明南路422号 |