制造气体电子倍增器的方法

摘要

本发明提供了一种制造气体电子倍增器的方法。该方法包括：制备板料(28)的步骤，板料(28)包括绝缘片(12)，所述绝缘片(12)在其表面上具有第一金属层和第二金属层(14，16)；第一金属层孔形成步骤，通过光刻对所述第一金属层进行构图，以形成穿过第一金属层的孔(18)；绝缘片孔形成步骤，通过仅从所述第一表面侧蚀刻，使在第一金属层(14)中形成的孔(18)延伸穿过绝缘片(12)；以及第二金属层孔形成步骤，孔(18)延伸穿过第二金属层(16)。在一个实施方式中，通过电化学蚀刻实现第二金属层孔形成步骤，从而在对第二金属层(16)的蚀刻过程中保持第一金属层(14)不受影像。在另一实施方式中，在第二金属层孔形成步骤中，从外部蚀刻第一金属层和第二金属层(14，16)，从而减小第一金属层和第二金属层(14，16)的初始厚度，同时通过第一金属层(14)和绝缘片(12)中的孔(18)蚀刻第二金属层(16)，所述蚀刻被保持直到所述孔(18)延伸穿过所述第二金属层，其中，第一金属层和第二金属层(14，16)的初始平均厚度为6.5μm～25μm，优选地为7.5μm～12μm。

主权项

一种制造气体电子倍增器(10)的方法，所述气体电子倍增器包括绝缘片(12)、第一金属层(14)和第二金属层(16)以及多个通孔，所述绝缘片(12)具有第一表面和第二表面，所述第一金属层(14)和所述第二金属层(16)分别设置在所述第一表面和所述第二表面的顶部上，所述多个通孔延伸穿过所述绝缘片(12)和所述第一金属层(14)和所述第二金属层(16)，所述方法包括下列步骤：制备板料(28)，所述板料(28)包括绝缘片(12)，所述绝缘片(12)分别在其第一表面和第二表面上设置有第一金属层(14)和第二金属层(16)，所述第一金属层(14)和所述第二金属层(16)具有初始厚度；第一金属层孔形成步骤，其中通过光刻仅对所述第一金属层(14)进行构图，以形成穿过所述第一金属层(14)的孔(18)；绝缘片孔形成步骤，其中通过从所述第一表面的一侧进行蚀刻，使在所述第一金属层(14)中形成的所述孔(18)延伸穿过所述绝缘层(12)；以及第二金属层孔形成步骤，其中从外部蚀刻所述第一金属层(14)和所述第二金属层(16)，从而减小所述第一金属层(14)和所述第二金属层(16)的所述初始厚度，同时通过所述第一金属层(14)和所述绝缘片(12)中的所述孔(18)蚀刻所述第二金属层(16)，保持蚀刻，直到所述孔(18)延伸穿过所述第二金属层，其中，所述第一金属层和所述第二金属层(14，16)的所述初始平均厚度为6.5μm～25μm。