| 发明名称 | 半导体器件、制造方法以及晶体管电路 | ||
| 摘要 | 一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极。本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102683405B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201210031265.9 | 申请日期 | 2012.02.09 |
| 申请人 | 创世舫电子日本株式会社 | 发明人 | 竹前义博;细田勉;佐藤俊哉 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人 | 孟锐 |
| 主权项 | 一种晶体管电路，包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中所述第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至所述第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及所述第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至所述第一高电子迁移率晶体管的源极；其中所述第二高电子迁移率晶体管的阈值电压的绝对值低于所述第一高电子迁移率晶体管的栅极耐受电压。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||