| 发明名称 | 寡层石墨及寡层石墨薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 提供一种制备寡层石墨的方法，包括以下步骤：(1)将两个碳电极设置为阴极和阳极；以及(2)在包含惰性气体和对碳具有一定反应性的气体的混合气体气氛下，对两极施加电压。还提供一种制备寡层石墨薄膜的方法，包括以下步骤：(1)将寡层石墨固体直接涂抹成膜，或将寡层石墨固体与溶剂混合制成溶液进行涂覆，以及(2)将形成的膜在惰性或还原性气体中加热还原。 | ||
| 申请公布号 | CN102781831B | 申请公布日期 | 2015.05.20 |
| 申请号 | CN201080062867.X | 申请日期 | 2010.12.06 |
| 申请人 | 南开大学;天津普兰纳米科技有限公司 | 发明人 | 陈永胜;吴英鹏;张龙;黄毅 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 王达佐;阴亮 |
| 主权项 | 制备寡层石墨的方法，所述方法包括：(1)将两个碳电极设置为阴极和阳极；以及(2)在包含惰性气体和对碳具有一定反应性的气体的混合气体气氛下，对两极施加合适的电压一段时间，其中放电电压为15‑40V，电流为100‑150A；以及所述对碳具有一定反应性的气体为二氧化碳。 | ||
| 地址 | 300071 天津市南开区卫津路94号 | ||