METHOD FOR SUBSTANTIALLY UNIFORM COPPER DEPOSITION ONTO SEMICONDUCTOR WAFER

摘要

앞선 발명들에 기술된, 2 또는 그 이상의 전극들을 갖는 전기화학적 증착 장치에서 실행되는 방법들이 개시된다. 상기 방법들은 도전율이 0.02~0.8S/㎝인 황산구리 기본 전해액내에서 50~900Å의 두께를 갖는 저항성의 구리 시드층을 함유하는 반도체 웨이퍼들상에 2.5% 이하의 WFNU를 갖는 균일한 구리 필름을 제조한다.