发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要 <p>본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 발광부 및 제2 발광부;로서, 성장 기판이 제거된 제1 반도체층에 빛을 스캐터링하는 거친 표면이 형성되어 있는 제1 발광부 및 제2 발광부; 제1 발광부 및 제2 발광부를 전기적으로 절연시키며, 제1 발광부 및 제2 발광부 각각을 수용하는 오목부를 구비하고, 각각의 거친 표면이 오목부 내에 위치하는 절연막; 제1 발광부 및 제2 발광부를 제2 반도체층 측에서 전기적으로 연결시키는 연결 전극; 그리고, 제2 반도체층 측에서 제1 발광부 및 제2 발광부를 지지하는 지지 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.</p>
申请公布号 KR101521574(B1) 申请公布日期 2015.05.19
申请号 KR20130073260 申请日期 2013.06.25
申请人 发明人
分类号 H01L33/22;H01L33/36 主分类号 H01L33/22
代理机构 代理人
主权项
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