シリコン基板上に成長される発光デバイス

摘要

本発明の実施態様による方法は、シリコンを含む基板上に半導体構造体を成長させるステップを含む。該半導体構造体は、上記基板に直接接触するアルミニウム含有層と、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層とを含む。該方法は、更に、上記基板を除去するステップを含む。上記基板を除去した後、上記アルミニウム含有層に直接接触させて透明材料が形成される。該透明材料はテクスチャ化される。