发明名称 TANTALUM SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
摘要 탄탈 스퍼터링 타깃의 스퍼터면에 있어서, 평균 결정립경이 50 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하이고, 또한 결정립경의 편차가 30 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 탄탈 스퍼터링 타깃. 탄탈 스퍼터링 타깃의 스퍼터면에 있어서, (200) 면의 배향률이 70 % 를 초과, 또한 (222) 면의 배향률이 30 % 이하이며, 평균 결정립경이 50 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하이고, 또한 결정립경의 편차가 30 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 탄탈 스퍼터링 타깃. 타깃의 결정립경 또는 결정립경과 결정 배향을 제어함으로써, 탄탈 스퍼터링 타깃의 방전 전압을 낮추어 플라즈마를 발생시키기 쉽게 함과 함께, 성막 중의 전압의 흔들림을 억제하는 효과를 갖는다.
申请公布号 KR20150053795(A) 申请公布日期 2015.05.18
申请号 KR20157008891 申请日期 2013.12.06
申请人 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION 发明人 SENDA SHINICHIRO;NAGATSU KOTARO
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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