发明名称 |
エッチングされたシリコン構造、エッチングされたシリコン構造を形成する方法およびその使用 |
摘要 |
シリコンを含む材料のシリコンをエッチングする方法であって、前記方法は、シリコンを含む前記材料のシリコン表面を元素金属で部分的に覆い、次いでエッチング組成物に前記部分的に覆われたシリコン表面を曝露することにより前記シリコンの金属補助化学エッチングを行うステップを含み、ここで、前記金属補助化学エッチングのために、少なくとも一部の前記元素金属を、以下:(a)金属イオンを含む組成物に、前記シリコン表面を曝露することであって、ここで、前記元素金属は、前記金属イオンの還元により形成され、およびここで、金属イオンを含む前記組成物は、実質的にHFを含まないこと、または(b)前記シリコン表面上に、前記元素金属を直接めっきすること、のいずれかにより形成する、方法。 |
申请公布号 |
JP2015514310(A) |
申请公布日期 |
2015.05.18 |
申请号 |
JP20150500989 |
申请日期 |
2013.03.21 |
申请人 |
ネグゼオン・リミテッドNexeon Ltd |
发明人 |
リウ,フェン−ミン;ジァン,ユィション;フレンド,クリストファー マイケル;スピード,ジョナサン |
分类号 |
H01L21/308;C23C18/16;H01L21/306;H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/38;H01M10/052;H01M10/054 |
主分类号 |
H01L21/308 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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