发明名称 |
记忆体阵列结构与其操作方法与制造方法;MEMORY ARRAY STRUCTURE AND OPERATING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME |
摘要 |
一种记忆体阵列结构,包括一环形电路图案、一阵列区以及一接触区。环形电路图案包括多数条字元线。阵列区包括一第一阵列、一第二阵列及多数条位元线。第一阵列包括一部分字元线、一第一接地选择线与一第一串列选择线,第一接地选择线与第一串列选择线位于字元线的两侧。第二阵列包括另一部分字元线、一第二接地选择线与一第二串列选择线,第二接地选择线与第二串列选择线位于字元线的两侧。位元线位于第一阵列与第二阵列并跨越第一阵列与第二阵列。接触区具有多数个接触点,字元线透过接触点与一外部电路电性连接。 |
申请公布号 |
TW201519368 |
申请公布日期 |
2015.05.16 |
申请号 |
TW102140525 |
申请日期 |
2013.11.07 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
陈士弘 CHEN, SHIH HUNG |
分类号 |
H01L21/8239(2006.01);G11C7/12(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8239(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉林素华 |
主权项 |
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地址 |
新竹县科学工业园区力行路16号 TW |