半导体装置及其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

本发明提供浅沟槽隔离结构的形成方法及其形成的半导体结构。浅沟槽隔离结构的形成方法包含在第一开口中与第二开口中形成一氮化物衬垫，并使第一开口中与第二开口中的氮化物衬垫凹下，此时在第一开口中与第二开口中形成氧化物结构，因此在第一开口中形成第一浅沟槽隔离区而且在第二开口中形成第二浅沟槽隔离区。半导体结构包含在主动区中的第一浅沟槽隔离区与在隔离区中的第二浅沟槽隔离区，其中第一浅沟槽隔离区中的第一凹下后的氮化物层高度不同于第二浅沟槽隔离区中的第二凹下后的氮化物层高度。