发明名称 资料写入方法、记忆体控制电路单元与记忆体储存装置;DATA WRITING METHOD, MEMORY CONTROL CIRCUIT UNIT AND MEMORY STORAGE APPARATUS
摘要 一种用于可复写式非挥发性记忆体模组的资料写入方法及使用此方法的记忆体控制电路单元与记忆体储存装置,其中此可复写式非挥发性记忆体模组包括多个实体抹除单元。本资料写入方法包括:将此些实体抹除单元至少分组为资料区与闲置区;配置多个逻辑单元以映射此资料区的实体抹除单元;以及动态地维持此些实体抹除单元之中的一预定数量的实体抹除单元来专用于写入循序资料。基此,本方法可在以页面为基础的管理机制下,同时快速地写入循序资料。; configuring a plurality of logical units for mapping to the physical erasing units of the data area; and dynamically reserving a predetermined number of physical erasing units dedicating to write sequential data. Accordingly, the method can fast write the sequential data with the page based memory management.
申请公布号 TW201518945 申请公布日期 2015.05.16
申请号 TW102141474 申请日期 2013.11.14
申请人 群联电子股份有限公司 PHISON ELECTRONICS CORP. 发明人 梁鸣仁 LIANG, MING JEN
分类号 G06F12/08(2006.01);G11C7/22(2006.01) 主分类号 G06F12/08(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文叶璟宗
主权项
地址 苗栗县竹南镇群义路1号 TW