发明名称 快闪记忆装置;FLASH MEMORY DEVICE
摘要 本发明更提供一种快闪记忆装置。于一实施例中,该快闪记忆装置包括一快闪记忆体、一二极体、一控制器、以及一电容。该快闪记忆体,具有一高电位接脚。该二极体耦接于一电源与该快闪记忆体之该高电位接脚之间。该控制器经由一资料汇流排耦接至该快闪记忆体。该电容耦接于该快闪记忆体之该高电位接脚与一地电位之间,当该电源之电位下降时,该电容提供电能至该快闪记忆体,以让该快闪记忆体完成一资料写入之处理。
申请公布号 TW201519244 申请公布日期 2015.05.16
申请号 TW104102971 申请日期 2011.04.25
申请人 慧荣科技股份有限公司 SILICON MOTION, INC. 发明人 陈泓江 CHEN, HUNG CHIANG
分类号 G11C16/30(2006.01);G06F1/18(2006.01) 主分类号 G11C16/30(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 新竹县竹北市台元街36号8楼之1 TW