发明名称 |
快闪记忆装置;FLASH MEMORY DEVICE |
摘要 |
本发明更提供一种快闪记忆装置。于一实施例中,该快闪记忆装置包括一快闪记忆体、一二极体、一控制器、以及一电容。该快闪记忆体,具有一高电位接脚。该二极体耦接于一电源与该快闪记忆体之该高电位接脚之间。该控制器经由一资料汇流排耦接至该快闪记忆体。该电容耦接于该快闪记忆体之该高电位接脚与一地电位之间,当该电源之电位下降时,该电容提供电能至该快闪记忆体,以让该快闪记忆体完成一资料写入之处理。 |
申请公布号 |
TW201519244 |
申请公布日期 |
2015.05.16 |
申请号 |
TW104102971 |
申请日期 |
2011.04.25 |
申请人 |
慧荣科技股份有限公司 SILICON MOTION, INC. |
发明人 |
陈泓江 CHEN, HUNG CHIANG |
分类号 |
G11C16/30(2006.01);G06F1/18(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/30(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹北市台元街36号8楼之1 TW |