具有用于产生附加构件之多晶矽层的氮化镓电晶体;GAN TRANSISTORS WITH POLYSILICON LAYERS FOR CREATING ADDITIONAL COMPONENTS

摘要

本发明系有关具有用以产生用于一积体电路之附加构件的多晶矽层之一GaN电晶体以及其制造方法。GaN装置包括一EPI结构及置设在EPI结构上方的一绝缘材料。并且，一或多个多晶矽层置设在该绝缘材料中，而该等多晶矽层具有一或多个n型区域及p型区域。此装置更包括置设在该绝缘材料上的金属互连体，及置设在该绝缘材料中的通孔，其将源极与汲极金属连接至该多晶矽层的n型及p型区域。