用于在矽基板上形成元件品质氮化镓层的方法及装置;METHOD AND APPARATUS FOR FORMING DEVICE QUALITY GALLIUM NITRIDE LAYERS ON SILICON SUBSTRATES

摘要

原子层沉积(ALD)被用于在范围从80-400℃之反应温度的异质磊晶膜生长。基板及膜材料系较佳地选择以利用区域相配磊晶(DME)。于藉由ALD沉积后，一雷射回火系统被用于使沉积层热回火。于较佳实施例，一矽基板系以一AlN成核层覆盖，及雷射回火。其后，一GaN元件层系藉由一ALD方法涂敷于AlN层上，然后，雷射回火。于另一例示实施例，一过渡层涂敷于GaN元件层与AlN成核层之间。过渡层包含一或多个不同过渡材料层，每一者包含一AlxGa1-xN化合物，其中，该过渡层之组成物系从AlN连续变化成GaN。