发明名称 半导体记忆装置及记忆体系统
摘要 本发明之实施形态提供一种能以低电压,且不降低可靠性下进行资料读出之半导体记忆装置及记忆体系统。;实施形态之半导体记忆装置包括:记忆体串,其包含记忆单元;位元线,其与记忆体串之一端电性连接;及感测放大器,其与位元线电性连接且进行感测。感测放大器具有:第1电晶体,其系一端连接于位元线之电流路径上之第1节点,且另一端与第2节点电性连接;第2电晶体,其电性连接于第2节点与感测节点之间;及第3电晶体,其电性连接于第2节点与可调整电压之第3节点之间,且闸极连接于第1节点。
申请公布号 TW201519250 申请公布日期 2015.05.16
申请号 TW103130459 申请日期 2014.09.03
申请人 东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 吉原正浩 YOSHIHARA, MASAHIRO;安彦尚文 ABIKO, NAOFUMI
分类号 G11C7/06(2006.01);G11C7/08(2006.01) 主分类号 G11C7/06(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP