| 发明名称 |
低电阻透明导电积层体、低电阻图案化的透明导电积层体及触控面板 |
| 摘要 |
一种低电阻透明导电积层体包含透明基板、透明光学调整层、氧化矽层以及透明导电层，其中，氧化矽是由式(I)所示。透明光学调整层厚度范围为50nm至4,000nm及折射率范围为1.58至1.70。透明导电层厚度范围为20nm至25nm及表面电阻值范围为小于200Ω/sq。透明基板折射率与透明光学调整层折射率的差值的绝对值范围为0.05以下。该低电阻透明导电积层体无干涉纹产生，以及由其所形成的低电阻图案化的透明导电积层体应用至触控面板时，可使得使用者在观看时不易看到透明导电层图案化的痕迹，继而可使得触控面板具有较佳的显示品质。;SiOx(I);式(I)中，x表示大于1.6至小于2.0。 |
| 申请公布号 |
TW201518111 |
申请公布日期 |
2015.05.16 |
| 申请号 |
TW102141693 |
申请日期 |
2013.11.15 |
| 申请人 |
远东新世纪股份有限公司 FAR EASTERN NEW CENTURY CORPORATION |
发明人 |
张建成 CHANG, CHIEN CHENG;钱雨纯 CHIEN, YU CHUN;陆龙翔 LUH, LUNG SHIANG |
| 分类号 |
B32B7/02(2006.01);B32B9/00(2006.01);B32B27/00(2006.01);G06F3/041(2006.01);H01B5/14(2006.01);H01B13/00(2006.01) |
主分类号 |
B32B7/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
高玉骏杨祺雄 |
| 主权项 |
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| 地址 |
台北市大安区敦化南路2段207号36楼 TW |
