发明名称 提升矽载板强度之制程及其制品
摘要 一种提升矽载板强度之制程,其包含有:提供一基板;将该基板之厚度降低至一第一设定厚度;使该基板的至少一面形成为一粗糙面,并使该基板的厚度降低至一第二设定厚度;一绝缘层系形成于该粗糙面,该绝缘层的至少一面系形成一绝缘粗糙面;以及一金属层系形成于该绝缘层之绝缘粗糙面,该金属层具有一第三设定厚度。藉由前述之粗糙面系使金属层与基板之间的结合之紧密度能够提升,并且具有第三设定厚度之金属层系能够使矽载板具有相当的强度,如此能够避免矽载板于后续制程中因应力的作用下,而发生破片或毁损的情况,藉此提升后续制程之良率。
申请公布号 TW201519301 申请公布日期 2015.05.16
申请号 TW102140770 申请日期 2013.11.08
申请人 昇阳国际半导体股份有限公司 PHOENIX SILICON INTERNATIONAL CORP. 发明人 陈宥仁;黄希哲 HUANG, HIS CHE;廖学专 LIAO, HSUEH CHUAN
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 林坤成刘纪盛
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路6号6楼 TW