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经营范围
发明名称
提升矽载板强度之制程及其制品
摘要
一种提升矽载板强度之制程,其包含有:提供一基板;将该基板之厚度降低至一第一设定厚度;使该基板的至少一面形成为一粗糙面,并使该基板的厚度降低至一第二设定厚度;一绝缘层系形成于该粗糙面,该绝缘层的至少一面系形成一绝缘粗糙面;以及一金属层系形成于该绝缘层之绝缘粗糙面,该金属层具有一第三设定厚度。藉由前述之粗糙面系使金属层与基板之间的结合之紧密度能够提升,并且具有第三设定厚度之金属层系能够使矽载板具有相当的强度,如此能够避免矽载板于后续制程中因应力的作用下,而发生破片或毁损的情况,藉此提升后续制程之良率。
申请公布号
TW201519301
申请公布日期
2015.05.16
申请号
TW102140770
申请日期
2013.11.08
申请人
昇阳国际半导体股份有限公司 PHOENIX SILICON INTERNATIONAL CORP.
发明人
陈宥仁;黄希哲 HUANG, HIS CHE;廖学专 LIAO, HSUEH CHUAN
分类号
H01L21/304(2006.01)
主分类号
H01L21/304(2006.01)
代理机构
代理人
林坤成刘纪盛
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路6号6楼 TW
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