ＳｉＣ被膜形成Ｃ／Ｃ合成物之使用方法

摘要

本发明之主要目的在提供可抑制使用SiC被膜形成C/C合成物时的劣化的SiC被膜形成C/C合成物之使用方法。;本发明之SiC被膜形成C/C合成物之使用方法系藉由在C/C合成物基材的表面，在加热下直接形成SiC被膜予以制作，且暂时被冷却至室温的SiC被膜形成C/C合成物之使用方法，其特征为：以与形成上述SiC被膜时的加热温度为同等或其以上的温度，使前述冷却时所产生的SiC被膜的裂痕状间隙消失，或使该间隙的宽幅比被冷却至上述室温时更为缩小来使用。