发明名称 用于在离子植入器中进行双模式操作的系统;SYSTEM FOR DUAL MODE OPERATION IN ION IMPLANTER
摘要 一种用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块,其用以在第一方向上调整离子束的束宽度,所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含:扫描器,其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束;以及模式选择器,其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。; and mode selector to send a set of signals to the movable beam blocker and to the scanner in order to adjust the width of the ion beam and state of the scanner in concert.
申请公布号 TW201519280 申请公布日期 2015.05.16
申请号 TW103136219 申请日期 2014.10.21
申请人 瓦里安半导体设备公司 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. 发明人 波什 肯尼士H PURSER, KENNETH H.;坎贝尔 克里斯多夫 CAMPBELL, CHRISTOPHER;辛克莱 法兰克 SINCLAIR, FRANK;林德柏格 罗伯特C LINDBERG, ROBERT C.;欧尔森 约瑟C OLSON, JOSEPH C.
分类号 H01J37/317(2006.01);H01J37/304(2006.01) 主分类号 H01J37/317(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗郑婷文詹富闵
主权项
地址 美国 US