晶片堆叠结构之洗净方法及洗净设备;CLEANING METHOD OF CHIP STACKED STRUCTURE AND CLEANING APPARATUS

摘要

本发明揭示一种晶片堆叠结构之洗净方法，其特征在于，先提供一晶片堆叠结构，该晶片堆叠结构具有至少一位于晶片与基板之间的微小间隙，该微小间隙约为20~50μm，尚具有可让液体流通的空间，之后提供一化学清洗液，并使该化学清洗液以毛细现象进入该微小间隙，再进一步以特定模式自该微小间隙排出。采用本发明的方法，可有效去除三维、垂直互连之晶片堆叠结构中之微小间隙内的助焊剂或其他杂质。