发明名称 纹理蚀刻液、纹理蚀刻液用添加剂液、纹理形成基板及纹理形成基板之制造方法与太阳电池
摘要 本发明以低成本提供一种适于单晶太阳电池胞用途等之容易使均匀性优异之微细之棱锥状凹凸部稳定地再现的纹理蚀刻液及纹理蚀刻液用添加剂液,进而使用上述纹理蚀刻液而提供一种具有均匀且微细之棱锥状凹凸部之纹理基板,进而提供一种使用上述纹理基板之高效率太阳电池胞。;本发明包括:一种纹理蚀刻液,其含有硷成分、单宁类、及茋衍生物;一种纹理蚀刻液用添加剂液,其含有单宁类与茋衍生物,且单宁类之浓度为30重量%以下,茋衍生物之浓度为30重量%以下;一种矽基板,其系使用上述纹理蚀刻液或添加上述蚀刻液用添加剂液而制造之纹理蚀刻液,而于基板面之至少单侧表面形成有纹理者;一种矽基板之制造方法,其包括使上述纹理蚀刻液与矽基板于60~95℃之范围内反应之步骤;及一种太阳电池,其含有上述矽基板,且至少使纹理形成面朝向受光面侧。
申请公布号 TW201518476 申请公布日期 2015.05.16
申请号 TW103137662 申请日期 2014.10.30
申请人 日本瓦姆 珀巴尔股份有限公司 JAPAN VAM & POVAL CO., LTD. 发明人 村上贵志 MURAKAMI, TAKASHI;松冈敏文 MATSUOKA, TOSHIFUMI
分类号 C09K13/00(2006.01);C23F1/32(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L31/04(2014.01) 主分类号 C09K13/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP