半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之半导体装置包含：层间绝缘膜INS2；邻接之Cu配线M1W，其形成于层间绝缘膜INS2内；及绝缘性障壁膜BR1，其接触于层间绝缘膜INS2之表面与Cu配线M1W之表面，且覆盖层间绝缘膜INS2与Cu配线M1W。且，于邻接之Cu配线M1W间，层间绝缘膜INS2于其表面具有损伤层DM1，且于较损伤层DM1更深之位置，具有含有较损伤层DM1之氮浓度更高之氮浓度之电场缓和层ER1。