| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines W-Ni Sputtertargets sowie dessen Verwendung. Ebenso betrifft die Erfindung ein Sputtertarget enthaltend zwischen 45 und 75wt% W, Rest Ni, sowie übliche Verunreinigungen, welches Ni(W)-Phase, W-Phase sowie keine oder unter 10% intermetallische Phasen enthält. |
