IR EMITTER AND NDIR SENSOR

摘要

적외선(IR) 소오스가 실리콘 기판에 의해 지지되는 유전체 멤브레인 상에 내장된 적어도 하나의 층으로 만들어진 CMOS 금속층을 포함하는 미세-열판 소자의 형태로 제공된다. 상기 소자는 후면 식각 단계가 후행되는 CMOS 공정으로 형성된다. 상기 소자는 고온(따라서 더 높은 방사)을 얻을 수 있는 미세가공된 적외선 소오스를 제공하고, 동시에 상업적인 CMOS 공정들에 의해 제조될 수 있기 때문에 종래 소자들의 상태에 비해 낮은 제조 비용, 높은 재현성 및 신뢰성을 가지며, 모노리식 집적회로의 가능성을 제공한다는 장점이 있다. 또한 상기 소자는 동일 칩 상에 적외선 검출기와 집적될 수 있고, 완전한 NDIR 센서를 형성하기 위해 패키지될 수 있다.