| 发明名称 | MOS器件 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种MOS器件，包括硅片基体，设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环，其中，所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。本申请只需设置第一分压环和第二分压环，并通过将第一分压环与源极金属连接，使第一分压环在通电状态下成为与源极电压相等的等位环。这种方式在与现有技术采用电阻率相同的衬底的情况下提高了MOS器件反向击穿压。解决了MOS器件在保证低导通电阻的情况下实现高击穿压的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN204332966U | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201420825819.7 | 申请日期 | 2014.12.23 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 发明人 | 林洪春;杨大为;孙佳佳;王增智;樊吉涛 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人 | 方挺;葛强 |
| 主权项 | 一种MOS器件，包括硅片基体；设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环；其中，所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。 | ||
| 地址 | 110032 辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号 | ||