发明名称 |
一种基于闪存产生满熵随机数的方法和装置 |
摘要 |
本发明公开一种基于闪存产生满熵随机数的方法和装置,利用闪存(主要是Nand Flash芯片)不同生产工艺所确定的隧道氧化层厚度,存储单元的物理组织结构以及对存储单元编程擦除操作时产生的随机电子噪声,改变对特定的存储单元进行编程或擦除操作时的参数,利用部分编程法、部分擦除法、或重复编程法提取数据,对数据进行处理后,作为随机数输出。经实验验证所提取的随机数,均具有满熵的性质。本发明不需要专门的电路设计即可产生满足一定要求的随机数,能够降低随机数发生器的使用条件及成本。 |
申请公布号 |
CN104615407A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201510026059.2 |
申请日期 |
2015.01.19 |
申请人 |
中国科学院信息工程研究所 |
发明人 |
夏鲁宁;贾世杰;马原;王雷;张琼露 |
分类号 |
G06F7/58(2006.01)I |
主分类号 |
G06F7/58(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
余长江 |
主权项 |
一种基于闪存产生满熵随机数的方法,其特征在于,采用闪存芯片自身的物理特性作为随机源,改变对特定存储单元编程或擦除操作时的时间与位置参数,从而对存储单元产生随机性的扰动,然后从闪存芯片中提取随机数。 |
地址 |
100093 北京市海淀区闵庄路甲89号 |