| 发明名称 | 半导体器件及其裸片接合结构 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体器件及其接合结构，其中不与半导体裸片或引线框架形成金属间化合物，从而改善电特性和机械特性以及可润湿性，且抑制裸片接合材料的聚集。所述半导体器件包括：半导体裸片、形成在半导体裸片的表面上的阻挡层、形成在阻挡层上的第一金属层、形成在第一金属层上的中间金属层，以及形成在中间金属层上的第二金属层。这里，第一金属层和第二金属层具有第一熔化温度，中间金属层具有低于第一熔化温度的第二熔化温度。 | ||
| 申请公布号 | CN104617067A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201410613709.9 | 申请日期 | 2014.11.04 |
| 申请人 | 开益禧株式会社 | 发明人 | 黄圭孝;李锺洪;崔甲秀;田且秀;朴进相;裵相甫;朴用鈱;安星桭 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 李少丹;周晓雨 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体裸片；阻挡层，形成在所述半导体裸片的表面上；第一金属层，形成在所述阻挡层上；中间金属层，形成在所述第一金属层上；以及第二金属层，形成在所述中间金属层上，其中，所述第一金属层和所述第二金属层具有第一熔化温度，所述中间金属层具有低于所述第一熔化温度的第二熔化温度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||