快闪存储器及其形成方法

摘要

一种快闪存储器和快闪存储的形成方法，其中快闪存储器的形成方法包括：提供具有隔离结构的半导体衬底，在半导体衬底表面形成有隧穿介质层和第一浮栅导电层；形成覆盖于所述隔离结构和第一浮栅导电层表面的第二浮栅导电层；对所述第二浮栅导电层进行掺杂，使得第二浮栅导电层的刻蚀速率小于第一浮栅导电层的刻蚀速率；采用各向异性刻蚀工艺，刻蚀所述第二浮栅导电层，直至暴露出隔离结构的顶部，在所述第一浮栅导电层表面形成浮栅侧墙，且所述浮栅侧墙位于隔离结构侧壁；以所述浮栅侧墙为掩膜，刻蚀去除部分厚度的第一浮栅导电层。本发明增加浮栅和控制栅导电层的重叠面积，从而提高快闪存储器的耦合率，降低工作电压和功耗。

主权项

一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有隔离结构，在相邻隔离结构之间的半导体衬底表面依次形成有隧穿介质层和第一浮栅导电层，且所述第一浮栅导电层的顶部低于所述隔离结构顶部；形成覆盖于所述隔离结构和第一浮栅导电层表面的第二浮栅导电层，所述第二浮栅导电层的材料与第一浮栅导电层的材料相同；对所述第二浮栅导电层进行掺杂，使得第二浮栅导电层的刻蚀速率小于第一浮栅导电层的刻蚀速率；采用各向异性刻蚀工艺，刻蚀所述第二浮栅导电层，直至暴露出隔离结构的顶部，在所述第一浮栅导电层表面形成浮栅侧墙，且所述浮栅侧墙位于隔离结构侧壁；以所述浮栅侧墙为掩膜，刻蚀去除部分厚度的第一浮栅导电层，在第一浮栅导电层内形成凹槽；形成覆盖所述隔离结构、具有凹槽的第一浮栅导电层、以及浮栅侧墙的栅间介质层；形成覆盖于所述栅间介质层表面的控制栅导电层。