| 发明名称 | 肖特基二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种肖特基二极管及其制造方法。所述肖特基二极管包括：衬底、缓冲层、外延结构、肖特基接触金属以及欧姆接触金属，衬底、缓冲层、外延结构依次层叠设置；所述外延结构包括依次层叠的超结层、GaN沟道层和势垒层，所述超结层是由复数个p型GaN层与n型GaN层互相交替层叠构成；所述肖特基接触金属与欧姆接触金属分别对称设置于所述外延结构的相对的两侧面，且一端延伸至所述外延结构的上表面，另一端延伸至所述缓冲层。该肖基特二极管，具有较高的耐压特性，且保证了电流传输能力及稳定性，避免采用传统的场板结构和保护环结构，可以简化制作工艺，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104617160A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201510044306.1 | 申请日期 | 2015.01.28 |
| 申请人 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 发明人 | 贺致远;徐华伟;黄庆礼;黄林轶 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 李海恬;万志香 |
| 主权项 | 一种肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、外延结构、肖特基接触金属以及欧姆接触金属，衬底、缓冲层、外延结构依次层叠设置；所述外延结构包括依次层叠的超结层、GaN沟道层和势垒层，所述超结层是由复数个p型GaN层与n型GaN层互相交替层叠构成；所述肖特基接触金属与欧姆接触金属分别对称设置于所述外延结构的相对的两侧面，且一端延伸至所述外延结构的上表面，另一端延伸至所述缓冲层。 | ||
| 地址 | 510610 广东省广州市天河区东莞庄路110号 | ||