| 发明名称 | 薄膜晶体管和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104620365A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201380044401.0 | 申请日期 | 2013.08.30 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 三木绫;森田晋也;后藤裕史;钉宫敏洋;田尾博昭;广濑研太 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 雒运朴 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极和沟道层之间的栅极绝缘膜，构成所述氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种，其中不包括构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的情况，并且与所述氧化物半导体层直接接触的所述栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||