发明名称 |
一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种二硫化钼/缓冲层/硅n-i-p太阳能电池器件,其为层状结构,由上至下依次包括Pd金属前电极、MoS<sub>2</sub>薄膜层、缓冲层、p型单晶Si基片和金属In背电极,其中,缓冲层为具有宽禁带的介质材料,禁带宽度Eg>3.0eV,作用主要包括两方面:一是,能够提高异质结界面内建电场;二是,阻挡载流子的界面复合特征。本发明通过界面缓冲层的引入,显著提高了器件的光伏性能,对比测试结果表明:开路电压、短路电流密度和光转换效率分别提高了69%以上、47%以上和85%以上。本发明具有器件结构简单,工艺简单、成品率高、制造成本低、生产过程无污染等特点,适于规模化工业生产。 |
申请公布号 |
CN104617165A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201510034090.0 |
申请日期 |
2015.01.23 |
申请人 |
中国石油大学(华东) |
发明人 |
郝兰众;刘云杰;高伟;韩治德;薛庆忠 |
分类号 |
H01L31/0264(2006.01)I;H01L31/0248(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0264(2006.01)I |
代理机构 |
济南舜源专利事务所有限公司 37205 |
代理人 |
毛胜昔 |
主权项 |
一种二硫化钼/缓冲层/硅n‑i‑p太阳能电池器件,其特征在于,为层状结构,由上至下依次包括Pd金属前电极、MoS<sub>2</sub>薄膜层、缓冲层、p型单晶Si基片和金属In背电极;所述缓冲层通过直流磁控溅射沉积于所述p型单晶Si基片的上表面上,其厚度为1‑3nm,材质为具有宽禁带的介质材料,所述介质材料的禁带宽度Eg>3.0eV;所述MoS<sub>2</sub>薄膜层通过直流磁控溅射沉积于所述缓冲层的表面上,所述MoS<sub>2</sub>薄膜层具有n型半导体特征,其厚度为70‑80nm;所述Pd金属前电极通过直流磁控溅射沉积于所述MoS<sub>2</sub>薄膜的表面上,其厚度为30‑40nm;所述金属In背电极通过锡焊焊接在所述Si基片的下表面上,其厚度为0.2mm。 |
地址 |
266555 山东省青岛市经济技术开发区长江西路66号 |