| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 在作为回流二极管内置了肖特基势垒二极管的半导体装置中，在回流状态下使最大单极电流增大，并且在截止状态下降低漏电流。在第1导电类型的漂移层(20)的表层侧设置了的相邻的第2导电类型的阱区域(30)之间的表面中的至少一部分中，具备肖特基电极(75)，使处于肖特基电极(75)的下部并且处于相邻的所述阱区域(30)之间的第1区域内的第1导电类型的杂质浓度比漂移层(20)的第1导电类型的第1杂质浓度高、并且比阱区域(30)的第2导电类型的第2杂质浓度低。 | ||
| 申请公布号 | CN104620381A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201380046464.X | 申请日期 | 2013.04.11 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 日野史郎;三浦成久;今泉昌之 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金春实 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：漂移层，具有第1导电类型的第1杂质浓度；多个阱区域，在所述漂移层的表层侧，以相互隔开的方式设置，并且具有第2导电类型的第2杂质浓度；肖特基电极，设置于所述漂移层的表面上，与源极欧姆电极电连接；以及第1区域，设置于相邻的所述阱区域之间且所述肖特基电极的下部，具有比所述第1杂质浓度高、且比所述第2杂质浓度低的第1导电类型的杂质浓度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||