| 发明名称 | 多电平变流器子模块及其制作的逆变电路、MMC拓扑 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多电平变流器子模块及其制作的逆变电路、MMC拓扑，包括左支路、右支路、电容，左支路包括2个IGBT元件，第一IGBT元件和第二IGBT元件，右支路包括2个S<sub>i</sub>C-MOSFET元件，第一S<sub>i</sub>C-MOSFET元件和第二S<sub>i</sub>C-MOSFET元件，第一IGBT元件、第二IGBT元件、第一S<sub>i</sub>C-MOSFET元件和第二S<sub>i</sub>C-MOSFET元件依次桥接，电容的正极连接第一IGBT元件和第一S<sub>i</sub>C-MOSFET元件之间的公共点，电容的负极连接第二IGBT元件和第二S<sub>i</sub>C-MOSFET元件之间的公共点。本发明采用IGBT与S<sub>i</sub>C-MOSFET混合全桥子模块，打破了由于S<sub>i</sub>材料带来的开关频率的限制，全面提升MMC-HVDC系统的开关频率。 | ||
| 申请公布号 | CN104617803A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201510016820.4 | 申请日期 | 2015.01.13 |
| 申请人 | 嘉兴清源电气科技有限公司 | 发明人 | 江斌开;王志新 |
| 分类号 | H02M7/5387(2007.01)I;H02M7/49(2007.01)I | 主分类号 | H02M7/5387(2007.01)I |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人 | 汤东凤 |
| 主权项 | 多电平变流器子模块，包括左支路、右支路、电容，左支路包括2个IGBT元件，第一IGBT元件和第二IGBT元件，其特征在于：右支路包括2个S<sub>i</sub>C‑MOSFET元件，第一S<sub>i</sub>C‑MOSFET元件和第二S<sub>i</sub>C‑MOSFET元件，第一IGBT元件、第二IGBT元件、第一S<sub>i</sub>C‑MOSFET元件和第二S<sub>i</sub>C‑MOSFET元件依次桥接，电容的正极连接第一IGBT元件和第一S<sub>i</sub>C‑MOSFET元件之间的公共点，电容的负极连接第二IGBT元件和第二S<sub>i</sub>C‑MOSFET元件之间的公共点。 | ||
| 地址 | 314031 浙江省嘉兴市中山西路1888号1407—1408室 | ||