| 发明名称 | 等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置。该等离子蚀刻处理方法能够在等离子蚀刻处理时容易且适当地进行形状控制。其中，该等离子蚀刻处理方法包括：将半导体基板(W)保持在设于处理容器(12)内的保持台(14)上的工序；用于产生等离子激励用微波的工序；将电介质板(16)与保持台(14)之间的间隔设为100mm以上、将处理容器内(12)的压力设为50mTorr以上而经由电介质板(16)将微波导入处理容器(12)内、使处理容器(12)内产生等离子体的等离子产生工序；将等离子蚀刻处理用反应气体供给到处理容器(12)内，利用所产生的等离子体对半导体基板(W)进行等离子蚀刻处理的处理工序。 | ||
| 申请公布号 | CN104616984A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201410837288.8 | 申请日期 | 2009.05.27 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 佐佐木胜 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种等离子蚀刻处理方法，其用于在处理容器内对被处理基板进行等离子蚀刻处理，其中，该等离子蚀刻处理方法包括：将被处理基板保持在设于上述处理容器内的保持台上的工序；将等离子蚀刻用气体供给到上述处理容器内的工序；将等离子激励用的微波导入上述处理容器内的工序；将上述处理容器内的压力设为50mTorr～200mTorr的工序；将电介质板配置在与上述保持台相面对的位置、在该电介质板的下部侧设有凹陷成锥状的环状凹部、将上述电介质板与上述保持台之间的间隔设为100mm以上、经由上述电介质板将上述微波导入上述处理容器内、而使上述处理容器内产生上述等离子蚀刻用气体的等离子体的工序；对上述被处理基板施加自身偏压并利用上述等离子体对上述被处理基板进行等离子蚀刻处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||